Name: NVMFD5C650NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD5C650NLET1GTR-ND
Price: 3.0988 EUR
Availability: InStock

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NVMFD5C650NLET1G
Codice DigiKey	488-NVMFD5C650NLET1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFD5C650NLET1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFD5C650NLET1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFD5C650NLET1G
Descrizione	T6 60V LL S08FL DS
Tempi di consegna standard del produttore	31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 21 A (Ta), 111 A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37nC a 10V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2546pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,5W (Ta), 125W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canale N	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Ta), 111 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 20A, 10V	Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Vgs(th) max a Id 2,2V a 98µA	Codice componente base NVMFD5