Name: NVJS4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVJS4151PT1GOSTR-ND
Price: 0.9516 EUR
Availability: InStock

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NVJS4151PT1G
Codice DigiKey	NVJS4151PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVJS4151PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVJS4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVJS4151PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,2 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVJS4151PT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	67mohm a 2,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	850 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Codice componente base	NVJS4151

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Nastrato in bobina (TR)