Name: NVJS4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVJS4151PT1GOSTR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

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NVJS4151PT1G
Codice DigiKey	NVJS4151PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVJS4151PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVJS4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVJS4151PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,2 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVJS4151PT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 4.5 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 850 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
RDSon (max) a Id, Vgs 67mohm a 2,9A, 4,5V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA	Codice componente base NVJS4151

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In magazzino: 30 802

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,18361	€ 550,83
6 000	€ 0,18010	€ 1 080,60

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,00040

NVJS4151PT1G