Name: NVJD4152PT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVJD4152PT1GTR-ND
Price: 0.5978 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVJD4152PT1G
Codice DigiKey	488-NVJD4152PT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVJD4152PT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVJD4152PT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVJD4152PT1G
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 880mA (Ta) 272mW (Ta) A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,2nC a 4,5V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 155pF a 20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 272mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali P (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 880mA (Ta)	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 880mA, 4,5V	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA