Name: NVD5C688NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C688NLT4GOSTR-ND
Price: 2.5376 EUR
Availability: InStock

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NVD5C688NLT4G
Codice DigiKey	NVD5C688NLT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVD5C688NLT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVD5C688NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVD5C688NLT4G
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 17 A (Tc) 18W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVD5C688NLT4G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.4 nC @ 4.5 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 18W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 27,4mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA	Codice componente base NVD5C688

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In magazzino: 3 793

Scorte di fabbrica: 7 500

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,56568	€ 1 414,20
5 000	€ 0,53905	€ 2 695,25

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,08000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,53760

NVD5C688NLT4G