
NVD5117PLT4G-VF01 | |
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Codice DigiKey | NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVD5117PLT4G-VF01 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16mohm a 29A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 85 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4800 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,1W (Ta), 118W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,33000 | € 3,33 |
| 10 | € 2,18000 | € 21,80 |
| 100 | € 1,52430 | € 152,43 |
| 500 | € 1,25118 | € 625,59 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 1,02222 | € 2 555,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,33000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,06260 |



