NVD3055L170T4G-VF01 è obsoleto e non è più in produzione.
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Scheda tecnica
Canale N 60 V 9 A (Ta) 28,5W (Ta) A montaggio superficiale DPAK
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NVD3055L170T4G-VF01

Codice DigiKey
NVD3055L170T4G-VF01TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NVD3055L170T4G-VF01CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
NVD3055L170T4G-VF01
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 9 A (Ta) 28,5W (Ta) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 5 V
Produttore
Vgs (max)
±15V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
275 pF @ 25 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
28,5W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
Contenitore del fornitore
DPAK
RDSon (max) a Id, Vgs
170mohm a 4,5A, 5V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Obsoleto
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