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NVD3055L170T4G-VF01 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
NVD3055L170T4G-VF01 | |
|---|---|
Codice DigiKey | NVD3055L170T4G-VF01TR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVD3055L170T4G-VF01CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | NVD3055L170T4G-VF01 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 9 A (Ta) 28,5W (Ta) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 170mohm a 4,5A, 5V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±15V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 275 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 28,5W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Italia