L'immagine di NVBG150N65S3F non è disponibile
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVBG150N65S3F

Codice DigiKey
488-NVBG150N65S3F-ND
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVBG150N65S3F
Descrizione
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 24 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
24 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
150mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 540µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2170 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
192W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK-7
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

0 in magazzino
A causa dei problemi con le forniture, non siamo in grado di accettare ordini arretrati e i tempi di consegna non sono disponibili al momento.