Name: NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG070N120M3STR-ND
Price: 17.08 EUR
Availability: InStock

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NVBG070N120M3S
Codice DigiKey	5556-NVBG070N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NVBG070N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NVBG070N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVBG070N120M3S
Descrizione	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 36 A (Tc) 172W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 18 V
Produttore onsemi	Vgs (max) +22V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1230 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 172W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore del fornitore D2PAK-7
RDSon (max) a Id, Vgs 87mohm a 15A, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Vgs(th) max a Id 4,4V a 7mA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMWSH120H90SCT7Q	Diodes Incorporated	0	31-DMWSH120H90SCT7Q-ND	€ 5,50620	Simile

In magazzino: 508

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 6,85911	€ 5 487,29

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 14,00000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 17,08000

NVBG070N120M3S