Name: NVBG022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG022N120M3STR-ND
Price: 30.0486 EUR
Availability: InStock

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NVBG022N120M3S
Codice DigiKey	5556-NVBG022N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NVBG022N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NVBG022N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVBG022N120M3S
Descrizione	SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 58 A (Tc) 234W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 148 nC @ 18 V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3200 pF @ 800 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 234W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 58 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 40A, 18V	Codice componente base NVBG022
Vgs(th) max a Id 4,4V a 20mA