
NTTFS5116PLTWG | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFS5116PLTWG |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTTFS5116PLTWG Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 52mohm à 6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1258 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,2W (Ta), 40W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,07000 | € 1,07 |
| 10 | € 0,67100 | € 6,71 |
| 100 | € 0,44230 | € 44,23 |
| 500 | € 0,34396 | € 171,98 |
| 1 000 | € 0,31229 | € 312,29 |
| 2 000 | € 0,28564 | € 571,28 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,25679 | € 1 283,95 |
| 10 000 | € 0,23897 | € 2 389,70 |
| 15 000 | € 0,23320 | € 3 498,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,07000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,30540 |



