Name: FDMC86139P
Brand: onsemi
SKU: FDMC86139PTR-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

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FDMC86139P
Codice DigiKey	FDMC86139PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC86139PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC86139PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC86139P
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 4,4 A (Ta), 15 A (Tc) 2,3W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale 8-MLP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMC86139P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,4 A (Ta), 15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	67mohm a 4,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1335 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-MLP (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN
Codice componente base	FDMC86139