NTTFS4C10NTWG onsemi | FET, MOSFET singoli

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NTTFS4C10NTWG
Codice DigiKey	NTTFS4C10NTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTTFS4C10NTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTTFS4C10NTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFS4C10NTWG
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8,2 A (Ta), 44 A (Tc) 790mW (Ta), 23,6W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 993 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 790mW (Ta), 23,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,2 A (Ta), 44 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-WDFN (3,3x3,3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 7,4mohm a 30A, 10V	Codice componente base NTTFS4

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTTFS4C10NTAG	onsemi	897	NTTFS4C10NTAGOSCT-ND	€ 0,62000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,50060

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