Name: NTTFS3D7N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS3D7N06HLTWGTR-ND
Price: 3.0378 EUR
Availability: InStock

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NTTFS3D7N06HLTWG
Codice DigiKey	488-NTTFS3D7N06HLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFS3D7N06HLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFS3D7N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFS3D7N06HLTWG
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 16A (Ta), 103A (Tc) 2,2W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 120µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2383 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,2W (Ta), 83W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16A (Ta), 103A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PQFN (3,3x3,3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 23A, 10V	Codice componente base NTTFS3

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In magazzino: 3 376

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,68672	€ 2 060,16

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,49000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,03780

NTTFS3D7N06HLTWG