Name: NTTFD2D8N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND
Price: 3.3062 EUR
Availability: InStock

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NTTFD2D8N03P1E
Codice DigiKey	488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFD2D8N03P1ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFD2D8N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFD2D8N03P1E
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 16,1A (Ta), 80A (Tc) 1,04W (Ta), 26W (Ta) A montaggio superficiale 12-WQFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 400µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20,8nC a 10V, 20,5nC a 10V
Serie PowerTrench®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500pF a 15V, 1521pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 1,04W (Ta), 26W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 12-PowerWQFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 12-WQFN (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,1A (Ta), 80A (Tc)	Codice componente base NTTFD2
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 18A, 10V