MOSFET - Array 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3)
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NTTFD1D8N02P1E

Codice DigiKey
488-NTTFD1D8N02P1E-ND
Produttore
Codice produttore
NTTFD1D8N02P1E
Descrizione
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Tempi di consegna standard del produttore
41 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
4,2mohm a 15A, 10V, 1,4mohm a 29A, 10V
Produttore
onsemi
Vgs(th) max a Id
2V a 190µA, 2V a 310µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5,5nC a 4,5V, 17nC a 4,5V
Confezionamento
Sfuso
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
873pF a 15V, 2700pF a 15V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
800mW (Ta), 900mW (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Asimmetrico a 2 canali N (duale)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11A (Ta), 21A (Ta)
Contenitore del fornitore
8-PQFN (3,3x3,3)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 2 980
Scorte di fabbrica: 27 000
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Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,93000€ 1,93
10€ 1,23400€ 12,34
100€ 0,83850€ 83,85
500€ 0,66942€ 334,71
1 000€ 0,61506€ 615,06
3 000€ 0,54605€ 1 638,15
6 000€ 0,52794€ 3 167,64
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,93000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,35460