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Canale P 20 V 223mA (Ta) 121mW (Ta) A montaggio superficiale 3-XLLGA (0,62x0,62)
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NTNS3A91PZT5G

Codice DigiKey
NTNS3A91PZT5GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTNS3A91PZT5G
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 223mA (Ta) 121mW (Ta) A montaggio superficiale 3-XLLGA (0,62x0,62)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
223mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,6ohm a 100mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
41 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
121mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
3-XLLGA (0,62x0,62)
Contenitore/involucro
3-XFLGA
Codice componente base
NTNS3
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