Name: NTMYS029N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMYS029N08LHTWGTR-ND
Price: 2.8426 EUR
Availability: InStock

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NTMYS029N08LHTWG
Codice DigiKey	488-NTMYS029N08LHTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMYS029N08LHTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMYS029N08LHTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMYS029N08LHTWG
Descrizione	T8 80V LL LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 7 A (Ta), 22 A (Tc) 3,5W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK4 (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 20µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 431 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 33W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Ta), 22 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK4 (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-1023, 4-LFPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 5A, 10V

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Nastrato in bobina (TR)

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Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,84260

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