Canale N 80 V 36A (Ta), 255A (Tc) 4,2W (Ta), 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
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Canale N 80 V 36A (Ta), 255A (Tc) 4,2W (Ta), 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
8-TDFN

NTMTS1D5N08H

Codice DigiKey
488-NTMTS1D5N08HTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTMTS1D5N08HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NTMTS1D5N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMTS1D5N08H
Descrizione
T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Tempi di consegna standard del produttore
43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 36A (Ta), 255A (Tc) 4,2W (Ta), 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
36A (Ta), 255A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 490µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8220 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4,2W (Ta), 208W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-DFNW (8,3x8,4)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
NTMTS1D
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In magazzino: 2 643
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 5,22000€ 5,22
10€ 3,49200€ 34,92
100€ 2,51820€ 251,82
500€ 2,49334€ 1 246,67
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 2,03704€ 6 111,12
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,22000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,36840