Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 2.3058 EUR
Availability: InStock

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NTMS10P02R2G
Codice DigiKey	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMS10P02R2G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 8,8 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMS10P02R2G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 70 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3640 pF @ 16 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 10A, 4,5V	Codice componente base NTMS10

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMP2022LSS-13	Diodes Incorporated	22 552	DMP2022LSS-13DICT-ND	€ 1,02000	Simile
TSM160P02CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	5 092	TSM160P02CSRLGCT-ND	€ 1,42000	Simile
UPA2735GR-E1-AX	Renesas Electronics Corporation	5 000	559-UPA2735GR-E1-AXCT-ND	€ 2,05000	Simile