Name: NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFWS1D5N08XT1GTR-ND
Price: 4.1236 EUR
Availability: InStock

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NTMFWS1D5N08XT1G
Codice DigiKey	488-NTMFWS1D5N08XT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFWS1D5N08XT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFWS1D5N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFWS1D5N08XT1G
Descrizione	MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 253A (Tc) 194W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	253A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,43mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 330µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5880 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	194W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori