Name: NTMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 3.9406 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTMFS6H800NLT1G
Codice DigiKey	488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS6H800NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS6H800NLT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3,9W (Ta), 214W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMFS6H800NLT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30A (Ta), 224A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,9mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 330µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6900 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,9W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NTMFS6