Canale N 30 V 7,8 A (Ta) 890mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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NTMS4916NR2G

Codice DigiKey
NTMS4916NR2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTMS4916NR2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMS4916NR2G
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7,8 A (Ta) 890mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMS4916NR2G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1376 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
890mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
NTMS4916
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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10€ 0,72300€ 7,23
100€ 0,47890€ 47,89
500€ 0,37408€ 187,04
1 000€ 0,34035€ 340,35
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,14000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,39080