Canale N 30 V 17 A (Ta), 171 A (Tc) 950mW (Ta), 96,2W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS4897NFT1G

Codice DigiKey
NTMFS4897NFT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMFS4897NFT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 17 A (Ta), 171 A (Tc) 950mW (Ta), 96,2W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17 A (Ta), 171 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2mohm a 22A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
83.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5660 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
950mW (Ta), 96,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NTMFS4
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