MOSFET - Array 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio-asimmetrico)
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NTMFD4C20NT1G

Codice DigiKey
NTMFD4C20NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTMFD4C20NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
NTMFD4C20NT1G
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio-asimmetrico)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,1V a 250µA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9,3nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
970pF a 15V
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
1,09W, 1,15W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,1 A, 13,7 A
Contenitore del fornitore
8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio-asimmetrico)
RDSon (max) a Id, Vgs
7,3mohm a 10A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,91580