
NTMFD4C20NT1G | |
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Codice DigiKey | NTMFD4C20NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMFD4C20NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | NTMFD4C20NT1G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio-asimmetrico) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 9,3nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 970pF a 15V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 1,09W, 1,15W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-PowerTDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,1 A, 13,7 A | Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio-asimmetrico) |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,3mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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| 1 | € 2,39000 | € 2,39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,39000 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,91580 |

