MOSFET - Array 30V 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc) 960mW (Ta), 25W (Tc), 1,04W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
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NTMFD001N03P9

Codice DigiKey
488-NTMFD001N03P9TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTMFD001N03P9CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NTMFD001N03P9DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMFD001N03P9
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore
8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc) 960mW (Ta), 25W (Tc), 1,04W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Asimmetrico a 2 canali N (duale)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
5mohm a 17A, 10V, 1mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7,9nC a 4,5V, 43nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1224pF a 15V, 6575pF a 15V
Potenza - Max
960mW (Ta), 25W (Tc), 1,04W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
8-PQFN (5x6)
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In magazzino: 2 987
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,42000€ 2,42
10€ 1,56400€ 15,64
100€ 1,07650€ 107,65
500€ 0,88220€ 441,10
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,72075€ 2 162,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,42000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,95240