Name: NTMD6N02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6N02R2GOSTR-ND
Price: 1.4152 EUR
Availability: InStock

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NTMD6N02R2G
Codice DigiKey	NTMD6N02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMD6N02R2G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 3,92 A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMD6N02R2G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100pF a 16V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 730mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,92 A	Codice componente base NTMD6
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 6A, 4,5V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,28235	€ 705,88
5 000	€ 0,26096	€ 1 304,80

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,16000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,41520

NTMD6N02R2G