
NTMD4N03R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTMD4N03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD4N03R2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD4N03R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 60mohm a 4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400pF a 20V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,01000 | € 1,01 |
| 10 | € 0,63400 | € 6,34 |
| 100 | € 0,41670 | € 41,67 |
| 500 | € 0,32332 | € 161,66 |
| 1 000 | € 0,29323 | € 293,23 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,26064 | € 651,60 |
| 5 000 | € 0,24049 | € 1 202,45 |
| 7 500 | € 0,23023 | € 1 726,72 |
| 12 500 | € 0,21870 | € 2 733,75 |
| 17 500 | € 0,21593 | € 3 778,78 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,01000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,23220 |


