Name: NTMD3P03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD3P03R2GOSTR-ND
Price: 1.7446 EUR
Availability: InStock

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NTMD3P03R2G
Codice DigiKey	NTMD3P03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD3P03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD3P03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMD3P03R2G
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,34A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMD3P03R2G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750pF a 24V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 730mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,34A	Codice componente base NTMD3
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 3,05A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
UPA2735GR-E1-AX	Renesas Electronics Corporation	5 000	559-UPA2735GR-E1-AXCT-ND	€ 2,06000	Simile

In magazzino: 2 621

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,36099	€ 902,47
5 000	€ 0,33500	€ 1 675,00

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,74460

NTMD3P03R2G