
NTMD3P03R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTMD3P03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD3P03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD3P03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD3P03R2G |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 2,34A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD3P03R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2,34A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 85mohm a 3,05A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 750pF a 24V | |
Potenza - Max | 730mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,34000 | € 1,34 |
| 10 | € 0,84800 | € 8,48 |
| 100 | € 0,56520 | € 56,52 |
| 500 | € 0,44392 | € 221,96 |
| 1 000 | € 0,40489 | € 404,89 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,36263 | € 906,58 |
| 5 000 | € 0,33652 | € 1 682,60 |
| 7 500 | € 0,32322 | € 2 424,15 |
| 12 500 | € 0,31982 | € 3 997,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,63480 |

