MOSFET - Array 30V 5,5 A, 6,3 A 800mW, 810mW A montaggio superficiale 8-WDFN (3x3)
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NTLLD4901NFTWG

Codice DigiKey
NTLLD4901NFTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTLLD4901NFTWG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5,5 A, 6,3 A 800mW, 810mW A montaggio superficiale 8-WDFN (3x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTLLD4901NFTWG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,5 A, 6,3 A
RDSon (max) a Id, Vgs
17,4mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
605pF a 15V
Potenza - Max
800mW, 810mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-WDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
8-WDFN (3x3)
Codice componente base
NTLLD4901
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Obsoleto
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