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NTLJS4114NT1G
onsemi
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Canale N 30 V 3,6 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
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NTLJS4159NT1G

Codice DigiKey
NTLJS4159NT1G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTLJS4159NT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 3,6 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
35mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1045 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-WDFN (2x2)
Contenitore/involucro
6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base
NTLJS41
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