Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 1.1224 EUR
Availability: InStock

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NTLJS2103PTBG
Codice DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJS2103PTBG
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 800mV a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 4.5 V
Serie µCool™	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1157 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base NTLJS2103
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 3A, 4,5V