Name: NTLJD3119CTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3119CTBGOSTR-ND
Price: 1.3054 EUR
Availability: InStock

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NTLJD3119CTBG
Codice DigiKey	NTLJD3119CTBGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJD3119CTBGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJD3119CTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJD3119CTBG
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,6 A, 2,3 A 710mW A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTLJD3119CTBG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	µCool™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,6 A, 2,3 A
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 3,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	271pF a 10V
Potenza - Max	710mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	6-WDFN (2x2)
Codice componente base	NTLJD3119