Name: NTLJD3119CTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3119CTBGOSTR-ND
Price: 1.3786 EUR
Availability: InStock

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NTLJD3119CTBG
Codice DigiKey	NTLJD3119CTBGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJD3119CTBGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJD3119CTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJD3119CTBG
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,6 A, 2,3 A 710mW A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTLJD3119CTBG Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 3,8A, 4,5V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Serie µCool™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,7nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 271pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 710mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,6 A, 2,3 A	Codice componente base NTLJD3119