Name: NTLJD3115PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3115PT1GOSTR-ND
Price: 1.1712 EUR
Availability: InStock

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NTLJD3115PT1G
Codice DigiKey	NTLJD3115PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTLJD3115PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTLJD3115PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTLJD3115PT1G
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,3A 710mW A montaggio superficiale 6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,2nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 531pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 710mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,3A	Codice componente base NTLJD3115
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 2A, 4,5V