Canale P 20 V 2,3 A (Ta) 1,14W (Ta) A montaggio superficiale 6-DFN (3x3)
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NTLGF3402PT2G

Codice DigiKey
NTLGF3402PT2G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTLGF3402PT2G
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 2,3 A (Ta) 1,14W (Ta) A montaggio superficiale 6-DFN (3x3)
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
NTLGF3402PT2G Modelli
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Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
FETKY™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
140mohm a 2,7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,14W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-DFN (3x3)
Contenitore/involucro
6-VDFN piazzola esposta
Codice componente base
NTLGF3402
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