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NTLGD3502NT1G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTLGD3502NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NTLGD3502NT1G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4,3 A, 3,6 A 1,74W A montaggio superficiale 6-DFN (3x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 480pF a 10V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 1,74W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 6-VDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 6-DFN (3x3) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,3 A, 3,6 A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 4,3A, 4,5V |
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