Name: NTJS3157NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJS3157NT1GOSTR-ND
Price: 0.6466 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTJS3157NT1G
Codice DigiKey	NTJS3157NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTJS3157NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTJS3157NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTJS3157NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 3,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTJS3157NT1G Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 4A, 4,5V	Codice componente base NTJS3157