NTJD4158CT2G è obsoleto e non è più in produzione.
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NTJD4158CT1G
onsemi
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Prezzo unitario : € 0,37000
Scheda tecnica
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MOSFET - Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
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MOSFET - Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363

NTJD4158CT2G

Codice DigiKey
NTJD4158CT2G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTJD4158CT2G
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
NTJD4158CT2G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V, 20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
250mA, 880mA
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5ohm a 10mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1,5nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
33pF a 5V
Potenza - Max
270mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore
SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base
NTJD4158
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