Canale P 30 V 3,3 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale ChipFET™
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NTHS4111PT1G

Codice DigiKey
NTHS4111PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTHS4111PT1G
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 3,3 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
45mohm a 4,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 24 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
ChipFET™
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Codice componente base
NTHS41
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