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NTHD4102PT3G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTHD4102PT3G-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NTHD4102PT3G |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTHD4102PT3G Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,6nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750pF a 16V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 1,1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore ChipFET™ |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,9A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 2,9A, 4,5V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHD4102PT1G | onsemi | 19 351 | NTHD4102PT1GOSCT-ND | € 1,42000 | Simile |
| NX7002AKS,115 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1291-1-ND | € 0,21000 | Simile |



