NTHD4102PT3G è obsoleto e non è più in produzione.
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onsemi
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Prezzo unitario : € 1,42000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
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Prezzo unitario : € 0,21000
Scheda tecnica
MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
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NTHD4102PT3G

Codice DigiKey
NTHD4102PT3G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NTHD4102PT3G
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTHD4102PT3G Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,6nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750pF a 16V
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
1,1W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Contenitore del fornitore
ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,9A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 2,9A, 4,5V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
NTHD4102PT1Gonsemi19 351NTHD4102PT1GOSCT-ND€ 1,42000Simile
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.01727-1291-1-ND€ 0,21000Simile
Obsoleto
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