MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
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NTHD4102PT1G

Codice DigiKey
NTHD4102PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTHD4102PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NTHD4102PT1G
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore
11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTHD4102PT1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,9A
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 2,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,6nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750pF a 16V
Potenza - Max
1,1W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
ChipFET™
Codice componente base
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In magazzino: 40 834
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,35000€ 1,35
10€ 0,85200€ 8,52
100€ 0,56800€ 56,80
500€ 0,44612€ 223,06
1 000€ 0,40691€ 406,91
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,35711€ 1 071,33
6 000€ 0,33205€ 1 992,30
9 000€ 0,32151€ 2 893,59
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,64700