Name: NTHD4102PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD4102PT1GOSTR-ND
Price: 1.7324 EUR
Availability: InStock

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NTHD4102PT1G
Codice DigiKey	NTHD4102PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTHD4102PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTHD4102PT1G
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,9A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTHD4102PT1G Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,6nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750pF a 16V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,1W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,9A	Codice componente base NTHD4102
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 2,9A, 4,5V