Name: NTGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 0.854 EUR
Availability: InStock

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NTGS5120PT1G
Codice DigiKey	NTGS5120PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTGS5120PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTGS5120PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,8 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTGS5120PT1G Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.1 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 942 pF @ 30 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 111mohm a 2,9A, 10V	Codice componente base NTGS5120