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Canale P 12 V 2,35 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
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NTGS3433T1G

Codice DigiKey
NTGS3433T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTGS3433T1G
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 12 V 2,35 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTGS3433T1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,35 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
75mohm a 3,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
550 pF @ 5 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base
NTGS3433
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