NTGS3130NT1G onsemi | FET, MOSFET singoli

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NTGS3130NT1G
Codice DigiKey	NTGS3130NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTGS3130NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTGS3130NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTGS3130NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 4,23 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTGS3130NT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20.3 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 935 pF @ 16 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,23 A (Ta)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 5,6A, 4,5V	Codice componente base NTGS3130

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDC637BNZ	onsemi	23 152	FDC637BNZCT-ND	€ 0,64000	Consigliato dal produttore
FDC637AN	onsemi	2 669	FDC637ANCT-ND	€ 1,05000	Simile
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SI3460DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	9 763	SI3460DDV-T1-GE3CT-ND	€ 0,60000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,04000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,26880

NTGS3130NT1G