Name: NTF3055-100T1G
Brand: onsemi
SKU: NTF3055-100T1GOSTR-ND
Price: 1.5128 EUR
Availability: InStock

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NTF3055-100T1G
Codice DigiKey	NTF3055-100T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTF3055-100T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTF3055-100T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTF3055-100T1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 3 A (Ta) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTF3055-100T1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	110mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	455 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,3W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223 (TO-261)
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	NTF3055

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Nastrato in bobina (TR)