Name: NTE4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4151PT1GOSTR-ND
Price: 0.5368 EUR
Availability: InStock

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NTE4151PT1G
Codice DigiKey	NTE4151PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTE4151PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTE4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTE4151PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) A montaggio superficiale SC-89-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTE4151PT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	760mA (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	360mohm a 350mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	156 pF @ 5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313mW (Tj)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-89-3
Contenitore/involucro	SC-89, SOT-490
Codice componente base	NTE4151

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Nastrato in bobina (TR)