Name: NTD6416ANLT4G
Brand: onsemi
SKU: NTD6416ANLT4GOSTR-ND
Price: 2.0862 EUR
Availability: InStock

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NTD6416ANLT4G
Codice DigiKey	NTD6416ANLT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTD6416ANLT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTD6416ANLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD6416ANLT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 19 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 74mohm a 19A, 10V	Codice componente base NTD6416

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TSM900N10CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	20 439	TSM900N10CPROGCT-ND	€ 1,07000	Simile

In magazzino: 574

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,44589	€ 1 114,72
5 000	€ 0,41530	€ 2 076,50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,08620

NTD6416ANLT4G