NTD5802NT4G onsemi | FET, MOSFET singoli

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NTD5802NT4G
Codice DigiKey	NTD5802NT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTD5802NT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD5802NT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 16,4 A (Ta), 101 A (Tc) 2,5W (Ta), 93,75W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTD5802NT4G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5025 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 93,75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,4 A (Ta), 101 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTD5802

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STD95N4LF3	STMicroelectronics	3 406	497-8776-1-ND	€ 2,17000	Simile
TK65S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3 154	TK65S04N1LLQCT-ND	€ 2,48000	Simile
TSM038N04LCP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	416	TSM038N04LCPROGCT-ND	€ 2,01000	Simile

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,58726	€ 1 468,15
5 000	€ 0,58314	€ 2 915,70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,01000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,45220

NTD5802NT4G