Canale N 30 V 7,6 A (Ta), 40 A (Tc) 1,27W (Ta), 35,3W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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NTD4813NHT4G

Codice DigiKey
NTD4813NHT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTD4813NHT4G
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7,6 A (Ta), 40 A (Tc) 1,27W (Ta), 35,3W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,6 A (Ta), 40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 11,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
13mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
940 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,27W (Ta), 35,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
NTD4813
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