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NTBG1000N170M1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 5556-NTBG1000N170M1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG1000N170M1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG1000N170M1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTBG1000N170M1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1700 V 4,3 A (Tc) 51W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,3V a 640µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 20 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +25V, -15V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 150 pF @ 1000 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 51W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK-7 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,43ohm a 2A, 20V |
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