Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG080N120SC1TR-ND
Price: 14.6888 EUR
Availability: InStock

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NTBG080N120SC1
Codice DigiKey	5556-NTBG080N120SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG080N120SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG080N120SC1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 30 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4.3V a 5mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56 nC @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +25, -15V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1154 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 179W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 20A, 20V	Codice componente base NTBG080